ONLINE-SHOP

G...Semiconductor | G...Halbleiter

0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z 

[14]Transistoren

[3643]G...Semiconductor
G...Halbleiter

G20N60B3D 40A / 600V / UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode Gehäuse TO247G20N60B3D (45869)
*40A / 600V / UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode, Gehäuse: TO247 =R4036
 Stück 28.56 EURinkl. MwSt.
zzgl. Versand
kaufen 
G40N60B3 70A 600V UFS Series N-Channel IGBTG40N60B3 (45870)
*70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT,
 a.Anfr.
anfragen 
GT10J303 Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 30000mWGT10J303 (87460)
*Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 30000mW
 a.Anfr.
anfragen 
GT15J311 Trans. IGBT N-CH 600 V 15 A TO263 D2PAK (Obsolete)GT15J311 (84234)
*Trans. IGBT, N-CH, 600 V, 15 A, TO263, D2PAK (Obsolete)
 a.Anfr.
anfragen 
GT15Q102 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONSGT15Q102 (75207)
*INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE, HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
 a.Anfr.
anfragen 
GT20J301 Silicon N-Channel IGBT High Power Switching ApplicationsGT20J301 (79926)
*Silicon N-Channel IGBT High Power Switching Applications
 a.Anfr.
anfragen 
GT25J101 Silicon N-Channel IGBT 600 VGT25J101 (76644)
*Silicon N-Channel, IGBT, 600 V
 a.Anfr.
anfragen 
GT25Q101 HalbleiterGT25Q101 (61908)
*Halbleiter
 a.Anfr.
anfragen 
GT40T101 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONSGT40T101 (75205)
*INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE, HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
 a.Anfr.
anfragen 
GT40T301 Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT Parallel Resonance Inverter SwitchingGT40T301 (75611)
*Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT Parallel Resonance Inverter Switching Applicatios
 a.Anfr.
anfragen 
GT60M102 IGBT 900 V 60 A 200 W 350/800 nsGT60M102 (78290)
*IGBT, 900 V, 60 A, 200 W, 350/800 ns
 a.Anfr.
anfragen 
GT60M104 IGBT 900 V 60 A 200 W 350/500 ns Gehäuse TO264GT60M104 (45873)
*IGBT, 900 V, 60 A, 200 W, 350/500 ns, Gehäuse: TO264,
 a.Anfr.
anfragen 
GT60M303 Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching ApplicationsGT60M303 (63724)
*Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Ersatz für GT60M301 und GT60M104
 Stück 26.18 EURinkl. MwSt.
zzgl. Versand
kaufen 
GT80J101 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N .CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONSGT80J101 (45872)
*INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N .CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS 600 V, 80 A, tf 0.4 us, VCE 3.5 V
 a.Anfr.
anfragen 
GT8Q102 IGBT N-CHANNELGT8Q102 (75206)
*IGBT, N-CHANNEL
 a.Anfr.
anfragen 

[ 12.04.2024 | Hinkel Elektronik, GbR Mauß Nina und Hinkel Ralph | Impressum | AGB | info@hinkel-elektronik.de ]

Unser Angebot richtet sich an Endverbraucher, Schulen, Behörden, Handel, Handwerk und Industrie. Die angegebenen Preise gelten für die angegebenen Stückzahlen oder Verpackungseinheiten inkl. gesetzlicher Mwst. und zzgl. Versandkosten. Bitte fragen Sie Ihre Nettopreise bei größeren Stückzahlen oder Projekten an. Auf den Rechnungen werden Nettopreise und Mwst. getrennt aufgeführt.

 
hinkel-elektronik.de Webutation