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G...Semiconductor | G...Halbleiter

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Transistoren

G20N60B3D (45869) * 40A / 600V / UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode, Gehäuse: TO247 =R4036   Stück 28.56 EUR inkl. MwSt. zzgl. Versand kaufen

G40N60B3 (45870) * 70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT,   a.Anfr. anfragen

GT10J303 (87460) * Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 30000mW   a.Anfr. anfragen

GT15J311 (84234) * Trans. IGBT, N-CH, 600 V, 15 A, TO263, D2PAK (Obsolete)   a.Anfr. anfragen

GT15Q102 (75207) * INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE, HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS   a.Anfr. anfragen

GT20J301 (79926) * Silicon N-Channel IGBT High Power Switching Applications   a.Anfr. anfragen

GT25J101 (76644) * Silicon N-Channel, IGBT, 600 V   a.Anfr. anfragen

GT25Q101 (61908) * Halbleiter   a.Anfr. anfragen

GT40T101 (75205) * INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE, HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS   a.Anfr. anfragen

GT40T301 (75611) * Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT Parallel Resonance Inverter Switching Applicatios   a.Anfr. anfragen

GT60M102 (78290) * IGBT, 900 V, 60 A, 200 W, 350/800 ns   a.Anfr. anfragen

GT60M104 (45873) * IGBT, 900 V, 60 A, 200 W, 350/500 ns, Gehäuse: TO264,   a.Anfr. anfragen

GT60M303 (63724) * Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications   Stück 13.80 EUR inkl. MwSt. zzgl. Versand kaufen

GT80J101 (45872) * INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N .CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS 600 V, 80 A, tf 0.4 us, VCE 3.5 V   a.Anfr. anfragen

GT8Q102 (75206) * IGBT, N-CHANNEL   a.Anfr. anfragen

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