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BUZ 9...

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[162]BUZ ...

[3640]BUZ 9...
BUZ90 SIPMOS N-Kanal 600 V 4.5 A 75 W 1.6 E = IRFBC40BUZ90 (45828)
*SIPMOS, N-Kanal, 600 V, 4.5 A, 75 W, 1.6 E, = IRFBC40
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BUZ900 P-FET 160 V 8 A 125 W 160 NS Gehäuse TO3BUZ900 (69285)
*P-FET, 160 V, 8 A, 125 W, 160 NS, Gehäuse: TO3,
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BUZ901 N-FET 200 V 8 A TO3BUZ901 (84620)
*N-FET, 200 V, 8 A, TO3
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BUZ905 P-FET 160 V 8 A 125 W 160 NS Gehäuse TO3BUZ905 (45852)
*P-FET, 160 V, 8 A, 125 W, 160 NS, Gehäuse: TO3,
 a.Anfr.
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BUZ906 P-FET 200 V 8 A TO3BUZ906 (61671)
*P-FET, 200 V, 8 A, TO3
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BUZ90A SIPMOS N-Kanal 600 V 4 A 75 W 2 Ohm TO220BUZ90A (45829)
*SIPMOS, N-Kanal, 600 V, 4 A, 75 W, 2 Ohm, TO220
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BUZ90AF SIPMOS N-Kanal 600V 4A 75W 2E Ersatztyp P4NC60FPBUZ90AF (45830)
*SIPMOS, N-Kanal, 600V, 4A, 75W, 2E, Ersatztyp: P4NC60FP
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BUZ91 SIPMOSBUZ91 (64593)
*SIPMOS
 Stück 2.86 EURinkl. MwSt.
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BUZ91A SIPMOS Power Transistor Gehäuse TO220ABBUZ91A (75210)
*SIPMOS Power Transistor, Gehäuse: TO220AB
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[ 29.11.2021 | Hinkel Elektronik | Impressum | AGB | info@hinkel-elektronik.de ]

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