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ONLINE-SHOPMG... Module, IGBT (Toshiba)
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[1908] | MG... Module, IGBT (Toshiba)
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| GT50J101 (76841)
* | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING + MOTOR CONTROL Applikation |
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| GT60M301 (81544)
* | IGBT N-Ch, 900 V, 60 A, TO264, TO3PL |
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| GT80J101A (76843)
* | Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications 600 V, 80 A, tf 0.4 us, VCE 3.5 V |
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| M15J6ES40 (86924)
| Stück 34.30 EUR | inkl. MwSt. zzgl. Versand | |
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| MG100Q2YS9 (74027)
* | Modul, IGBT, 100 A, 1200 V |
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| MG150J2YS40 (72704)
* | Modul, IGBT, 600 V, 150 A |
| Stück 69.97 EUR | inkl. MwSt. zzgl. Versand | |
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| MG150J2YS50 (83146)
* | Transistor IGBT, N-CH, 600 V, 150 A, |
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| MG150Q2YK1 (85808)
* | Trans. Darlington, NPN, 900 V, 150 A, Modul |
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| MG15Q6ES50A (83530)
* | Trans. IGBT Modul, N-CH, 1.2 KV, 25 A |
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| MG15Q6ES51 (89581)
* | Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 25A 17-Pin (2-108E1A) |
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| MG200Q2YS40ACG (83550)
* | Trans. IGBT Modul, N-CH, 1.2 KV, 200 A |
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| MG200Q2YS50 (86929)
* | Trans. IGBT-Modul, N-CH, 1.2 KV, 300 A |
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| MG25Q6ES50 (76224)
* | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING / MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG25Q6ES51 (89580)
* | Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 35A 17-Pin (2-108E2A) |
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| MG300Q1US41 (84152)
* | Trans. IGBT, Modul, N-CH, 1.2 KV, 300 A |
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| MG300Q2YS40 (85147)
* | Trans. IGBT Modul, N-CH, 1.2 kV, 300 A |
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| MG50J2YS45 (79821)
* | GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications |
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| MG50Q2YS50 (74063)
* | TOSHIBA, Silicon N Channel IGBT |
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| MG75J6ES50 (75601)
* | Silicon N-channel IGBT GTR module for high power switching, motor control applications |
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| MG75Q2YS40 (85150)
* | Trans. IGBT Modul, N-CH, 1.2 kV, 75 A |
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| MG90V2YS40 (74407)
* | GTR Module Silicon N Channel IGBT, High Power Switching, Motor Control Applications |
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| MIG25Q901H (80054)
* | Complex Bridge IGBT Power Module |
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[ 31.10.2024 | Hinkel Elektronik, GbR Mauß Nina und Hinkel Ralph | Impressum | AGB | info@hinkel-elektronik.de ]
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