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S...Semiconductor | S...Halbleiter

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[14]Transistoren

[3671]S...Semiconductor
S...Halbleiter

S2000AFI Transistor m.Isolierung = S 2000 NS2000AFI (46174)
*Transistor m.Isolierung = S 2000 N
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S2000N ToshibaS2000N (46173)
*Toshiba
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S2055AF Si-N+Di 1500V 8A 50W 0 7u = S2055NS2055AF (46175)
*Si-N+Di 1500V 8A 50W 0,7u = S2055N
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S2530A N-Trans.TV/S 1000V 10A 100WS2530A (46176)
*N-Trans.TV/S 1000V 10A 100W
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S2530A TOS N-Trans.TV/S 1000V 10A 100WS2530A TOS (46177)
 1 Stück 2.26 EURinkl. MwSt.
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S2800B HalbleiterS2800B (61092)
*Halbleiter
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SA26CA HalbleiterSA26CA (68822)
*Halbleiter
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SD8901HD Halbleiter TO99SD8901HD (83380)
*Halbleiter, TO99
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SFP9530FSC Halbleiter = IRF9530SFP9530FSC (61127)
*Halbleiter, = IRF9530
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SFP9640 P-MOS 200 V 11 A 125 W 0.5 Ohm IRF 9640SFP9640 (65288)
*P-MOS, 200 V, 11 A, 125 W, 0.5 Ohm IRF 9640
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SGH40N60UFD Trans IGBT Chip N-CH 600 V 40 A 3-Pin (3+Tab) TO-3P(N)SGH40N60UFD (82345)
*Trans IGBT Chip N-CH, 600 V, 40 A, 3-Pin (3+Tab), TO-3P(N)
 1 Stück 12.38 EURinkl. MwSt.
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SGL40N150D IGBT Gehäuse TO-264SGL40N150D (76365)
*IGBT, Gehäuse: TO-264
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SKFH150/09DS HalbleiterSKFH150/09DS (68873)
*Halbleiter
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SKFL150/09DS HalbleiterSKFL150/09DS (68790)
*Halbleiter
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SKM100GAL123D Trans IGBT Module N-CH 1.2 KV 100 A 5-Pin (Obsolete) = SKM100GAL12T4 = BSM75GB120DN2SKM100GAL123D (81969)
*Trans IGBT Module N-CH, 1.2 KV, 100 A, 5-Pin, (Obsolete) = SKM100GAL12T4 = BSM75GB120DN2
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SKM100GAL12T4 Trans IGBT Module N-CH 1.2 KV 160 A 5-PinSKM100GAL12T4 (81970)
*Trans IGBT Module N-CH, 1.2 KV, 160 A, 5-Pin
 1 Stück 91.04 EURinkl. MwSt.
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SKM100GB123D SEMITRANS IGBT ModulSKM100GB123D (80332)
*SEMITRANS IGBT Modul
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SKM100GB125DN Ultra Fast IGBT ModuleSKM100GB125DN (79578)
*Ultra Fast IGBT Module
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SKM141AR Transistor ModulSKM141AR (68805)
*Transistor, Modul
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SKM181A3R Transistor ModulSKM181A3R (69422)
*Transistor, Modul
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SMBT2222 NPN Schalttransistor Gehäuse SOT23SMBT2222 (46178)
*NPN Schalttransistor Gehäuse: SOT23
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SMBT2907 Transistor Gehäuse SMDSMBT2907 (46179)
*Transistor Gehäuse: SMD
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SMBT2907A Transistor Gehäuse SMDSMBT2907A (46180)
*Transistor, Gehäuse: SMD
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SMBT3904 Transistor Gehäsue SMDSMBT3904 (46181)
*Transistor, Gehäsue: SMD
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SMBT3906 Transistor Gehäuse SMD = MMBT3906SMBT3906 (46182)
*Transistor Gehäuse: SMD = MMBT3906
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SMBTA42 NPN Hochvolt-Transistor Gehäuse SOT23SMBTA42 (46183)
*NPN Hochvolt-Transistor Gehäuse: SOT23
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SN7000 SIPMOS N-Kanal 60V 250mA 5ESN7000 (46184)
*SIPMOS N-Kanal 60V 250mA 5E
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SN7002 SIPMOSSN7002 (63312)
*SIPMOS
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SN72558P IC Gehäuse DIP8SN72558P (63295)
*IC, Gehäuse: DIP8
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SN72741 IC Gehäuse DIL14 = IL72741 KeramikSN72741 (71087)
*IC, Gehäuse: DIL14 = IL72741 Keramik
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SPA07N60C3 Transitor = SPA08N80C3SPA07N60C3 (70204)
*Transitor, = SPA08N80C3
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SPA08N80C3 Transitor Gehäuse P-TO220-3-31SPA08N80C3 (76625)
*Transitor, Gehäuse: P-TO220-3-31
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SPA11N65C3 Halbleiter (NON-ROHS)SPA11N65C3 (73210)
*Halbleiter, (NON-ROHS)
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SPD07N60C3 TransistorSPD07N60C3 (73343)
*Transistor
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SPN04N60S5 (RoHS) Trans MOSFET N-CH 600 V 0.8 SO223 (Obsolete)SPN04N60S5 (83412)
*(RoHS) Trans, MOSFET, N-CH, 600 V, 0.8 SO223 (Obsolete)
 1 Stück 4.28 EURinkl. MwSt.
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SPP02N60S5 Ersatz für BUZ77BSPP02N60S5 (46185)
*Ersatz für BUZ77B
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SPP03N60S5 SIPMOS N-KanalSPP03N60S5 (64993)
*SIPMOS, N-Kanal
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SPP04N60C3 Cool MOS Power Transistor Gehäuse P-TO220-3-1SPP04N60C3 (79696)
*Cool MOS Power Transistor Gehäuse: P-TO220-3-1
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SPP07N60C3 Cool MOS Power TransistorSPP07N60C3 (79703)
*Cool MOS Power Transistor
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SPP10N10 SIPMOS Power-Transistor 100 V 10.3 A 100 mOhm Gehäuse TO220-3-1 Ersatz für BUZ20SPP10N10 (81038)
*SIPMOS Power-Transistor, 100 V, 10.3 A, 100 mOhm, Gehäuse: TO220-3-1, Ersatz für BUZ20 und BUZ72A
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SPP15P10P (RoHS) SIPMOS = BUZ272SPP15P10P (63197)
*(RoHS) SIPMOS, = BUZ272
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SPP20N60C3 Trans MOSFET N-CH 600 V 20.7 A 3-Pin (3+Tab) TO-220ABSPP20N60C3 (82521)
*Trans MOSFET N-CH, 600 V, 20.7 A, 3-Pin (3+Tab), TO-220AB
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SPP20N60S5 N-FET 600 V 20 A 208 WSPP20N60S5 (71209)
*N-FET, 600 V, 20 A, 208 W
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SPP30N03L N-Channel SIPMOS Power Transistor Gehäuse TO220 = P30N03SPP30N03L (78146)
*N-Channel SIPMOS Power Transistor, Gehäuse: TO220, = P30N03
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SPP70N10L Low Voltage MOSFETs 100 V Gehäuse TO220 = FQP70N10SPP70N10L (78157)
*Low Voltage MOSFETs, 100 V, Gehäuse: TO220, = FQP70N10
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SPW20N60S5 Cool MOS Power Transistor Gehäuse TO-247SPW20N60S5 (76320)
*Cool MOS Power Transistor, Gehäuse: TO-247
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ST HV 82 MOSFET N-Kanal 800V 5 5A 2EST HV 82 (46187)
*MOSFET N-Kanal 800V 5,5A 2E
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STD12N06 TransistorSTD12N06 (64234)
*Transistor
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STD2NB80 N-CHANNEL PowerMESH MOSFET 800 V 4.6 Ohm 1.9 ASTD2NB80 (78747)
*N-CHANNEL, PowerMESH MOSFET, 800 V, 4.6 Ohm, 1.9 A
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STF8045AV (RoHS) TransistorSTF8045AV (46186)
*(RoHS) Transistor
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STGP10N50 N-CHANNEL 10 A 600 V TO-220 IGBT Logic LevelSTGP10N50 (59956)
*N-CHANNEL 10 A, 600 V, TO-220, IGBT, Logic Level
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STH12N60F1 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor 600 V 7 ASTH12N60F1 (76796)
*N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor, 600 V, 7 A
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STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85Ohm - 9.1A TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR STH 8NA80FISTH9NA80FI (36228)
*N - CHANNEL 800V - 0.85Ohm - 9.1A TO-247/ISOWATT218, FAST POWER MOS TRANSISTOR, STH 8NA80FI
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STU7NB100 N-CHANNEL 1000 V 1.2 W 7.3 A PowerMESH MOSFET Gehäuse MAX220STU7NB100 (76907)
*N-CHANNEL, 1000 V, 1.2 W, 7.3 A, PowerMESH MOSFET, Gehäuse: MAX220
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STX112AP Trans Darlington NPN 100 V 2 A 3-Pin TO92STX112AP (82650)
*Trans Darlington, NPN, 100 V, 2 A, 3-Pin, TO92
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STY16NA90 Trans MOSFET N-CH 900V 16A Gehäuse MAX247 (Obsolete)STY16NA90 (70747)
*Trans MOSFET N-CH 900V 16A, Gehäuse: MAX247 (Obsolete)
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SUD50N025 N-Channel 25 V (D-S) MOSFETSUD50N025 (80956)
*N-Channel, 25 V, (D-S) MOSFET
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