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[162]BUZ ...

[3634]BUZ 3...
BUZ308 (RoHS) Leistungs MOSFET TO218BUZ308 (45753)
*(RoHS) Leistungs MOSFET, TO218
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BUZ30A Leistungs MOSFETBUZ30A (45752)
*Leistungs MOSFET
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BUZ31 SIPMOS N-Kanal 200V 13 5A 75W 0 2E = IRF640BUZ31 (45797)
*SIPMOS N-Kanal 200V 13,5A 75W 0,2E = IRF640
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BUZ312 SIPMOS Power Transistor N-Channel 1000 V 6 A 1.5 Ohm Gehäuse TO218AABUZ312 (45754)
*SIPMOS Power Transistor, N-Channel, 1000 V, 6 A, 1.5 Ohm, Gehäuse: TO218AA,
 1 Stück 13.92 EURinkl. MwSt.
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BUZ31L N-Channel 200 V - 240 V MOSFETs Gehäuse TO220ABBUZ31L (74965)
*N-Channel, 200 V - 240 V, MOSFETs, Gehäuse: TO220AB
 1 Stück 5.47 EURinkl. MwSt.
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BUZ32 SIPMOS N-Kanal 200V 9 5A 75W 0 4E = IRF630BUZ32 (45798)
*SIPMOS N-Kanal 200V 9,5A 75W 0,4E = IRF630
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BUZ323 SIE SIPMOSBUZ323 SIE (45841)
*SIPMOS
 1 Stück 4.28 EURinkl. MwSt.
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BUZ325 Leistungs MOSFETBUZ325 (45755)
*Leistungs MOSFET
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BUZ326 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)BUZ326 (74157)
*SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
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BUZ33 SIPMOS N-Kanal 200V 6 4A 62 5WBUZ33 (45799)
*SIPMOS N-Kanal 200V 6,4A 62,5W
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BUZ330 SIPMOS Power Transistor ( N channel Enhancement mode Avalanche-rated) Gehäuse TO218AABUZ330 (74899)
*SIPMOS Power Transistor ( N channel Enhancement mode Avalanche-rated) Gehäuse: TO218AA
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BUZ330T SIPMOS Power TransistorBUZ330T (79260)
*SIPMOS Power Transistor
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BUZ334 Sipmos N-Ch 600 V 12 A TO218 (Obsolete)BUZ334 (69670)
*Sipmos, N-Ch, 600 V, 12 A, TO218 (Obsolete)
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BUZ338 Leistungs MOSFET TO218BUZ338 (45757)
*Leistungs MOSFET TO218
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BUZ34 keine DatenBUZ34 (45800)
*keine Daten
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BUZ341 (RoHS) Leistungs MOSFETBUZ341 (45758)
*(RoHS) Leistungs MOSFET
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BUZ342 SIPMOS Gehäuse TO218BUZ342 (45842)
*SIPMOS Gehäuse: TO218
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BUZ345 Leistungs MOSFETBUZ345 (45759)
*Leistungs MOSFET
details 1 Stück 13.33 EURinkl. MwSt.
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BUZ346 Leistungs MOSFETBUZ346 (45760)
*Leistungs MOSFET
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BUZ349 Leistungs MOSFETBUZ349 (45761)
*Leistungs MOSFET
 1 Stück 7.85 EURinkl. MwSt.
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BUZ35 SIPMOS N-Kanal 200V 9 9A 62 5WBUZ35 (45801)
*SIPMOS N-Kanal 200V 9,9A 62,5W
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BUZ350 (RoHS) Leistungs MOSFET TO218AABUZ350 (45762)
*(RoHS) Leistungs MOSFET, TO218AA
 1 Stück 4.71 EURinkl. MwSt.
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BUZ351 SIPMOS N-CH 400 V 11.5 A TO218AA TOP3BUZ351 (84955)
*SIPMOS, N-CH, 400 V, 11.5 A, TO218AA TOP3
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BUZ355 SIPMOS N-Kanal 800 V 6A 125WBUZ355 (45834)
*SIPMOS N-Kanal 800 V 6A 125W
 1 Stück 9.52 EURinkl. MwSt.
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BUZ357 SIPMOS N-Kanal 1000 V 5 A 125 W 2 OhmBUZ357 (45835)
*SIPMOS, N-Kanal, 1000 V, 5 A, 125 W, 2 Ohm
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BUZ358 SIPMOSBUZ358 (45843)
*SIPMOS
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BUZ384 Leistungs MOSFETBUZ384 (45763)
*Leistungs MOSFET
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[ 27.06.2018 | Hinkel Elektronik | Impressum | AGB | info@hinkel-elektronik.de ]

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