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I ...Halbleiter | I... Semiconductor

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[14]Transistoren

[152]I ...Halbleiter
I... Semiconductor

BOD1-28R Break Over DiodeBOD1-28R (85605)
*Break Over Diode
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IGW25T120 IGBT N-CH 1200 V 50 A TO247IGW25T120 (85037)
*IGBT, N-CH, 1200 V, 50 A, TO247
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IPA60R190C6 Trans MOSFET N-CH 650 V 20.2 A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Full-PakIPA60R190C6 (82522)
*Trans MOSFET N-CH, 650 V, 20.2 A, 3-Pin (3+Tab), TO-220, Full-Pak
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IPA90R500C3XKSA1 Transistor MOSFET N-CH 900 V 11 A TO220FPIPA90R500C3XKSA1 (83405)
*Transistor, MOSFET, N-CH, 900 V, 11 A, TO220FP
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IPD034N06N3G Tran. Mosfet N-CH 60 V 100 A TO252IPD034N06N3G (83619)
*Tran. Mosfet, N-CH, 60 V, 100 A, TO252
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IPD042P03L3 Trans MOSFET P-CH 30 V 70 A 3-Pin(2+Tab) TO-252IPD042P03L3 (82155)
*Trans MOSFET P-CH, 30 V,70 A, 3-Pin(2+Tab) TO-252
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IPD50R1K4CE5 Trans. MOSFET N-CH 500 V 3.1 A DPACKIPD50R1K4CE5 (85077)
*Trans. MOSFET N-CH, 500 V, 3.1 A, DPACK
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IRC540 100 V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Gehäuse TO220 5-Pin HEXSenseIRC540 (80091)
*100 V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, Gehäuse: TO220 5-Pin HEXSense
 1 Stück 5.76 EURinkl. MwSt.
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IRCZ44 Power MOSFET 60 V 50 A 0.028 Ohm Gehäuse TO-220IRCZ44 (77724)
*Power MOSFET, 60 V, 50 A, 0.028 Ohm, Gehäuse: TO-220
 1 Stück 10.71 EURinkl. MwSt.
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IRFAC40R N-MOSFET 600V 6 2A 1 2EIRFAC40R (45956)
*N-MOSFET 600V 6,2A 1,2E
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IRFBA1404PPBF 40 V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Gehäuse Super 220 (TO-273AA)IRFBA1404PPBF (74449)
*40 V, Single, N-Channel, HEXFET, Power MOSFET, Gehäuse: Super 220 (TO-273AA)
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IRFK2D250 MOSFET = IRFK2D450IRFK2D250 (71598)
*MOSFET = IRFK2D450
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IRFK2D450 HALF BRDG HEXFET Power MOSFET 500 V Gehäuse TO240AAIRFK2D450 (77560)
*HALF BRDG HEXFET Power MOSFET, 500 V, Gehäuse: TO240AA
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IRFS630A HalbleiterIRFS630A (71283)
*Halbleiter
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IRFS840 HalbleiterIRFS840 (71300)
*Halbleiter
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IXBOD1-12R Break Over Diode 200 AIXBOD1-12R (85604)
*Break Over Diode, 200 A,
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IXFH12N90 HalbleiterIXFH12N90 (68775)
*Halbleiter
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IXFK120N25 IC Mindestabnahme 25 StückIXFK120N25 (73246)
*IC, Mindestabnahme: 25 Stück
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IXFK44N50 HiPerFET Power MOSFETS 44 A 500 V Gehäuse miniBLOC SOT-227 B (IXFN) = IXFK44N80P (800IXFK44N50 (70997)
*HiPerFET Power MOSFETS, 44 A, 500 V, Gehäuse: miniBLOC, SOT-227 B (IXFN), = IXFK44N80P (800 V)
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IXFK48N50 Discrete MOSFETs HiPerFET Power MOSFETSIXFK48N50 (46008)
*Discrete MOSFETs: HiPerFET, Power MOSFETS
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IXFM24N50 HiPerFET Power MOSFET Gehäuse TO-204 AEIXFM24N50 (75900)
*HiPerFET Power MOSFET, Gehäuse: TO-204 AE
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IXFR120N20 HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247 Mindesabnahme 20 StückIXFR120N20 (73247)
*HiPerFETTM, Power MOSFETs, ISOPLUS247 Mindesabnahme: 20 Stück
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IXFX90N30 HiPerFET Power MOSFETs Mindesabnahme 30 StückIXFX90N30 (73248)
*HiPerFET, Power MOSFETs, Mindesabnahme: 30 Stück
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IXGH40N30BD1 HiPerFASTTM IGBTIXGH40N30BD1 (79698)
*HiPerFASTTM IGBT
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IXGM25N100 Trans. IGBT N-CH 1000 V 50 A TO204AEIXGM25N100 (85807)
*Trans. IGBT, N-CH 1000 V, 50 A, TO204AE
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IXGN200N60B IGBT Discretes Mid-Frequency Range 15 KHz - 40 KHzIXGN200N60B (77264)
*IGBT Discretes: Mid-Frequency Range, 15 KHz - 40 KHz
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[ 27.06.2018 | Hinkel Elektronik | Impressum | AGB | info@hinkel-elektronik.de ]

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